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北京市大兴区中科九微半导体真空核心设备研发生产基地工程(研发生产楼)
北京市大兴区中科九微半导体真空核心设备研发生产基地工程(研发生产楼)北京市大兴区中科九微半导体真空核心设备研发生产基地工程(研发生产楼)工程地址:北京市大兴区河西区X61M4地块项目阶段:开工在建工程投资:5000(万元)项目描述:该工程计划新建一栋五层研发生产楼,1层地下室,总的建筑面积27879平方米. 主体为 框架结构。 截至2021年3月中旬,目前主体施工单位已进场做施工前准备,预计2021年12月完工. 主要设备材料: 1、光源灯具,低压电器,变配电,仪